法国12V250AH铅酸蓄电池 路盛电池

法国12V250AH铅酸蓄电池 路盛电池

作为技术良好的阀控式密封铅酸蓄电池公司之一，路盛科技（Ruzet Technologies Co.）在数据机房、通讯、输配电、能源交通、化工电子、金融、医疗卫生、*和海事、风能和太阳能、智能建筑等行业的电能储备**领域不懈努力，着力研发，**着欧洲乃至**的蓄电池储能技术*。
先进的制造和检测控制
路盛（Ruzet）蓄电池产品须经过200多道的制造和检测流程。依赖先进的计算机辅助设计、计算机控制制造和检测手段，以及艺术级工艺流程，路盛（Ruzet）蓄电池拥有**凡品质，在高性能和可靠性以及耐用性方面获得致高声誉。
完善的销售服务体系
与产品性能一样，路盛（Ruzet）的**销售服务体系同样出色，在技术咨询，方案设计，产品销售，物流配送，安装调试，维护保养，蓄电池回收循环等诸多方面，向路盛（Ruzet）蓄电池客户提供及时细致的贴心服务。路盛（Ruzet）更提供原厂**长质保期。
值得信赖的伙伴
路盛（Ruzet）获得了世界三大*船级社之一的法国船级社BV认证，获得UKAS严格的ISO9001和ISO14001体系的证书。
在中国，路盛（Ruzet）不仅在此建立了亚太总部，还在北京、上海、广州、成都建立了客服代表机构，为客户提供7*24小时的本地化细致服务。
相比于**同类品牌，法国路盛（Ruzet）产品具有更长的质量保证期，更好的性能价格比，以及更专业的技术支持和服务，是您信心的来源和**！
对环境友好和负责任的企业
路盛（Ruzet）科技自豪于她对环境保护的责任和承诺。环保措施被全面执行于路盛（Ruzet）电池及其附件的设计、制造、分销、物流和回收等诸多环节。路盛（Ruzet）科技回收我们的蓄电池产品，并且将之进行分解和**的闭环回收。
TPG 系列
路盛（RUZET）TPG（Turbo Plus GEL）系列产品采用先进的胶体技术和管式较板，在高温和恶劣环境下均能提供稳定和可靠性能。无论在通信、工业还是太阳能和风能电源储备等领域，其**性能均源自于法国路盛（RUZET）成熟的国际经验和可靠的胶体电池技术。

法国路盛蓄电池行业资讯-新闻信息

晶硅太阳能电池的表面钝化一直是设计和优化的重中之重。从早期的仅有背电场钝化，到正面氮化硅钝化，再到背面引入诸如氧化硅、氧化铝、氮化硅等介质层的钝化局部开孔接触的PERC/PERL设计。虽然这一结构暂时缓解了背面钝化的问题，但并未根除，开孔处的高复合速率依然存在，而且使工艺进一步复杂。近几年来，一种既能实现背面整面钝化，且*开孔接触的技术成为机构研究的热点，这就是钝化接触（Passivated Contact）技术。当电池两面均采用钝化接触时，还可能实现*扩散PN结的选择性接触（Selective Contact）电池结构。本文将详细介绍钝化接触技术的背景，特点及研究现状，并讨论如何使用这一技术实现选择性接触电池。

表面钝化的演进

钝化的“史前时代”

在90年代之前晶硅电池商业化生产的早期，太阳能电池制造商已经开始采用丝网印刷技术，但与我们如今使用的又有所不同。主要的区别在于两点：首先当时的正面网印银浆没有烧穿（Fire-through）这一功能，因此在当时的生产线上，需要先进行网印，而后沉积当时的TiO2减反射层。另一个区别在于当时的银浆与硅形成有效欧姆接触的能力较差，只有与高掺杂的硅才可以接触良好。由于TiO2没有很好的钝化功能，人们在当时并没有过多的考虑钝化。而且由于减反射层在金属电极之上，因此沉积的时候需要用模版遮挡主栅，以便后续的串焊。

虽然这一时期，在实验室中，科研人员已经采用SiO2钝化电池表面，并取得不俗的开路电压和效率。

SiNx：H **次进化

90年代，科研机构和制造商开始探索使用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术制备含氢的氮化硅（SiNx：H）薄膜用作电池正面的减反射膜。其中原因之一在于相对合适的折射率，但更重要的原因则在于氮化硅优良的的钝化效果。氮化硅除了可以饱和表面悬挂键，降低界面态外，还通过自身的正电荷，减少正面n型硅中的少子浓度，从而降低表面复合速率。SiNx中携带的氢可以在烧结的过程中扩散到硅片中，对发射较和硅片的内部晶体缺陷进行钝化，这对品质较低的多晶硅片尤其有效，大幅提高了当时太阳能电池的效率。

伴随着钝化材料上的创新，银浆材料与烧结工艺上的变革也同时到来，那就是可以烧穿的浆料和共烧（Co-firing）烧结工艺。有了烧穿特性后，可以先进行减反射膜的沉积，后网印浆料，然后烧结。由于顺序的颠倒，不用再担心金属栅线上覆盖的减反射层影响焊接，也省去了沉积TiO2需要的部分遮挡。同时人们发明了将正反面浆料一次烧结的共烧工艺，在一次烧结中，正面的银浆穿过SiNx与硅形成接触，而背面的铝浆也同步形成背面电极和背电场 （back surface field）。这一系列改进大大简化了丝网印刷电池的工艺，并逐渐成为了晶硅电池生产的主流。

AlOx *二次进化

随着电池正面的钝化效果和接触性能由于SiNx的使用和银浆改进在不断提高，进一步优化正面已经进入瓶颈阶段，人们把视线投向了另一个复合严重的区域，那就是电池的背表面。虽然在传统丝网印刷的晶硅电池中，铝背场可以减少少子浓度，减少复合，但仍然无法与使用介质层带来的钝化效果相比较。其实背面的介质层钝化也非新鲜话题，UNSW早在90年代就提出了发射较和背面钝化（PERC）结构以及发射较和背面钝化局部扩散（PERL）结构，在早期设计中，这两种结构都在背面采用氧化硅层钝化，局部开孔实现点接触以减少非钝化区域的面积。两者的区别在于是否在开口区域进行局部掺杂扩散，局部扩散增加工艺难度，但会形成局部背电场，减少接触部分的复合速率。但高品质氧化硅的生长需要较高的温度，对于已经经过高温扩散的硅片来说，为减少对体少子寿命的影响，应尽量减少长时间的高温工艺，因此对其他材料的搜索在2000年左右提上议事日程。

既然SiNx已经在电池正面证明有诸多好处，那能否在背面继续使用这一材料呢。答案是否定的，上面已经提到，SiNx钝化的机制之一在于利用其正电荷减少正面n型区的少子浓度，可是到了p型的背面，其正电荷将有可能在背面诱导形成一层n型反转层（inversion layer），这会造成背面的旁路损失，影响电流，降低电压和填充因子。

那么问题来了，钝化背面究竟哪家强呢？在欧洲几家研究机构的努力下，一种对光伏研究人员并不陌生的材料的又一次走到台前，那就是氧化铝（AlOx）。其不但像SiNx一样可以钝化表面缺陷，还拥有与SiNx相反的负电荷，正是因为这一点，在p型硅背面使用AlOx钝化层，不但不会形成反转层造成漏电，反而会增加p型硅中多子浓度，降低少子浓度，从而降低表面复合速率。不过AlOx的使用也需要伴随这工艺的改进和设备的进步，例如解决高速沉积AlOx的问题，氧化铝本身的不稳定性以及良品率较低等问题。